NchパワーMOSFET 600V20A PJMF190N60E1
スーパージャンクション構造のパワーMOSFETです。高速スイッチングと低オン抵抗を実現しています。こちらはお客様からご要望がございました。各種部品、半導体、機構部品等のご要望をお聞かせください。商品リクエスト入力フォーム
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■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：600V
・ドレイン電流DC：20A
・ピークドレイン電流：60A
・ゲートソース間電圧：±30V
・ゲート漏れ電流：±100nA
・オン抵抗：157mΩ
・許容損失max.：38W
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：ITO-220AB-F
・パッケージタイプ：TO220
半導体(モジュール)
/
FET
/
Nch MOSFET
/
パワーMOSFET
/
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：600V
・ドレイン電流DC：20A
・ピークドレイン電流：60A
・ゲートソース間電圧：±30V
・ゲート漏れ電流：±100nA
・オン抵抗：157mΩ
・許容損失max.：38W
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：ITO-220AB-F
・パッケージタイプ：TO220
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| 2024/06/15 | 商品画像が追加されました。 |
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| 2024/06/15 | 商品画像が追加されました。 |
| 2024/05/18 | 商品名が更新されました。Nch MOSFET PJMF190N60E1→NchパワーMOSFET 600V20A PJMF190N60E1 |
| 2024/05/15 | 1個 価格が変更になりました。¥0→¥180 |
| 2024/05/15 | PJMF190N60E1.pdfが追加されました。 |
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