NchパワーMOSFET 100V122A PSMQC040N10NS2
100V耐圧表面実装型パワーMOSFETです。高耐圧(VDS:100V、Tc=25℃)、大電流(IDM:488A)、低オン抵抗(0.0038Ωtyp@VGS=10V、ID=50A))です。
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■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：100V
・ドレイン電流DC：122A
・ピークドレイン電流：488A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±100nA
・オン抵抗：3.8mΩ
・許容損失max.：125W
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：DFN5060-8L
表面実装部品(チップ部品)
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半導体(モジュール)
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FET
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MOSFET
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Nch MOSFET
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：100V
・ドレイン電流DC：122A
・ピークドレイン電流：488A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±100nA
・オン抵抗：3.8mΩ
・許容損失max.：125W
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：DFN5060-8L
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| 2024/05/18 | 商品名が更新されました。Nch MOSFET PSMQC040N10NS2→NchパワーMOSFET 100V122A PSMQC040N10NS2 |
| 2024/05/15 | 1個 価格が変更になりました。¥0→¥180 |
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