トランジスター 2SA1015Y 50V150mA
■特長
・高耐圧でしかも電流容量が大きく、電流増幅率の電流依存性が優れています。
・Po=10W用アンプのドライバおよび、一般スイッチング用に適しています。
・低雑音です。NF=1dB(標準)f=1kHz
・YランクのhFE(トランジスタの電流増幅度)は120~240です。
■用途
・低周波増幅用
・励振段増幅用汎用
・高耐圧でしかも電流容量が大きく、電流増幅率の電流依存性が優れています。
・Po=10W用アンプのドライバおよび、一般スイッチング用に適しています。
・低雑音です。NF=1dB(標準)f=1kHz
・YランクのhFE(トランジスタの電流増幅度)は120~240です。
■用途
・低周波増幅用
・励振段増幅用汎用
■主な仕様
・接合構造：PNP
・コレクターエミッター間電圧：-50V
・コレクターベース間電圧：-50V
・エミッターベース間電圧：-5V
・コレクター電流：-150mA
・ベース電流：-50mA
・コレクターエミッター飽和電圧：-0.1V
・ベースエミッター飽和電圧：-1.1V
・雑音指数：1dB
・許容損失max.：400mW
・直流電流増幅率min.：120
・直流電流増幅率max.：240
・トランジション周波数：80MHz
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-92
・パッケージタイプ：TO92
半導体(モジュール)
/
トランジスター(BJT)
/
PNPトランジスター
/
・接合構造：PNP
・コレクターエミッター間電圧：-50V
・コレクターベース間電圧：-50V
・エミッターベース間電圧：-5V
・コレクター電流：-150mA
・ベース電流：-50mA
・コレクターエミッター飽和電圧：-0.1V
・ベースエミッター飽和電圧：-1.1V
・雑音指数：1dB
・許容損失max.：400mW
・直流電流増幅率min.：120
・直流電流増幅率max.：240
・トランジション周波数：80MHz
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-92
・パッケージタイプ：TO92
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| 2024/04/10 | 商品画像が更新されました。 |
| 2024/04/10 | 商品画像が追加されました。 |
| 2024/04/10 | 2sa1015.pdfが追加されました。 |
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