チップトランジスタ 2SC4703 12V150mA UHF電力増幅用
ルネサス(NEC)製・高周波増幅用ローノイズ/低ひずみNPNトランジスタ(日本製)、米国型番:NE46234
◆主な仕様
・VCBO:25V
・VCEO:12V
・VEBO:2.5V
・IC:150mA
・Ptot:1.8W
・fT:6GHz(VHF~UHF帯の高周波電力増幅に最適)
・順方向伝達利得:8.3dB@VCE=5V,IC=50mA,f=1GHz
・雑音指数:2.3dB@VCE=5V,IC=50mA,f=1GHz
・2次/3次相互変調ひずみ:IM2=-55dB/IM3=-76dB
@VCE=5V,IC=50mA,Vin=105dBμV/75Ω
・パッケージ:SOT89
・hFEランク:SE(125~250)
◆主な仕様
・VCBO:25V
・VCEO:12V
・VEBO:2.5V
・IC:150mA
・Ptot:1.8W
・fT:6GHz(VHF~UHF帯の高周波電力増幅に最適)
・順方向伝達利得:8.3dB@VCE=5V,IC=50mA,f=1GHz
・雑音指数:2.3dB@VCE=5V,IC=50mA,f=1GHz
・2次/3次相互変調ひずみ:IM2=-55dB/IM3=-76dB
@VCE=5V,IC=50mA,Vin=105dBμV/75Ω
・パッケージ:SOT89
・hFEランク:SE(125~250)
■主な仕様
・接合構造:NPN
・コレクタエミッタ間電圧:12V
・コレクタベース間電圧:25V
・エミッタベース間電圧:2.5V
・コレクタ電流:150mA
・雑音指数:2.3dB
・許容損失max.:1.8W
・直流電流増幅率min.:125
・直流電流増幅率max.:250
・トラジション周波数:6GHz
・実装タイプ:表面実装
・パッケージ:SOT-89
・パッケージタイプ:SOT89
表面実装部品(チップ部品)
/
半導体(モジュール)
/
トランジスタ(BJT)
/
NPNトランジスタ
/
チップトランジスタ
・接合構造:NPN
・コレクタエミッタ間電圧:12V
・コレクタベース間電圧:25V
・エミッタベース間電圧:2.5V
・コレクタ電流:150mA
・雑音指数:2.3dB
・許容損失max.:1.8W
・直流電流増幅率min.:125
・直流電流増幅率max.:250
・トラジション周波数:6GHz
・実装タイプ:表面実装
・パッケージ:SOT-89
・パッケージタイプ:SOT89
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2024/03/24 | 商品名が更新されました。チップトランジスタ 2SC4703 25V150mA UHF電力増幅用→チップトランジスタ 2SC4703 12V150mA UHF電力増幅用 |
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○リンク切れ、間違いはお問い合わせまでご連絡頂けましたら幸いでございます。
○当社で販売しているチップ抵抗、コンデンサのサイズコードはすべてミリ表記です。