ハーフブリッジMOSFET IRFI4024H
D級オーディオアンプに最適なハーフブリッジのMOSFET
1つのパッケージ内にMOSFETが2素子入っています。
1つのパッケージ内にMOSFETが2素子入っています。
■主な仕様
・種別:N+N
・内部接続:ハーフブリッジ
・ドレインソース間電圧Nch:55V
・ドレイン電流DCNch:11A
・ゲートソース間電圧Nch:±20V
・オン抵抗Nch:48mΩ
・ドレインソース間電圧Nch:55V
・ドレイン電流DCNch:11A
・ゲートソース間電圧Nch:±20V
・オン抵抗Nch:48mΩ
・許容損失max.:14W
・動作温度min.:-55℃
・動作温度max.:150℃
・実装タイプ:スルーホール
・パッケージ:TO220
・パッケージタイプ:TO220-5
半導体(モジュール)
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FET
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MOSFET
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Nch MOSFET
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パワーMOSFET
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・種別:N+N
・内部接続:ハーフブリッジ
・ドレインソース間電圧Nch:55V
・ドレイン電流DCNch:11A
・ゲートソース間電圧Nch:±20V
・オン抵抗Nch:48mΩ
・ドレインソース間電圧Nch:55V
・ドレイン電流DCNch:11A
・ゲートソース間電圧Nch:±20V
・オン抵抗Nch:48mΩ
・許容損失max.:14W
・動作温度min.:-55℃
・動作温度max.:150℃
・実装タイプ:スルーホール
・パッケージ:TO220
・パッケージタイプ:TO220-5
関連商品
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○メーカーの包装や箱から一度取り出して別の袋や箱に詰め直して出荷する場合があります。