ダーリントントランジスタ 2SD1866
■特長
・コレクタベース間にツェナーダイオードを内蔵。
・L負荷での逆起電力サージに強い。
・ベースエミッタ間に抵抗を内蔵。
・ダンパーダイオードを内蔵。
・コレクタベース間にツェナーダイオードを内蔵。
・L負荷での逆起電力サージに強い。
・ベースエミッタ間に抵抗を内蔵。
・ダンパーダイオードを内蔵。
■主な仕様
・接合構造:NPNダーリントン
・コレクタエミッタ間電圧:60V
・コレクタベース間電圧:60V
・エミッタベース間電圧:6V
・コレクタ電流:2A
・許容損失max.:1W
・直流電流増幅率min.:1000
・直流電流増幅率max.:10000
・トラジション周波数:80MHz
・実装タイプ:スルーホール
・パッケージ:ATV
半導体(モジュール)
/
トランジスタ(BJT)
/
NPNトランジスタ
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ダーリントントランジスタ
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NPNダーリントントランジスタ
・接合構造:NPNダーリントン
・コレクタエミッタ間電圧:60V
・コレクタベース間電圧:60V
・エミッタベース間電圧:6V
・コレクタ電流:2A
・許容損失max.:1W
・直流電流増幅率min.:1000
・直流電流増幅率max.:10000
・トラジション周波数:80MHz
・実装タイプ:スルーホール
・パッケージ:ATV
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