デュアルトランジスタ(NPN+NPN) HN1C01FU-GR
東芝の0.65mmピッチ、2in1シリーズ、低周波増幅用トランジスタです。1つのパッケージに2素子内蔵しています。hFEのリニアリティ(コレクタ電流に対する依存性)が少ないので低周波増幅用に適しています。また廃盤となった2SC1815に近い電気的特性を有しています。
■主な仕様
・接合構造:NPN×2
・コレクタエミッタ間電圧1:50V
・コレクタエミッタ間電圧2:50V
・コレクタベース間電圧1:60V
・コレクタベース間電圧2:60V
・エミッタベース間電圧1:5V
・エミッタベース間電圧2:5V
・コレクタ電流1:150mA
・コレクタ電流2:150mA
・ベース電流1:30mA
・ベース電流2:30mA
・コレクタエミッタ飽和電圧:0.1V
・許容損失max.:200mW
・直流電流増幅率min.:200
・直流電流増幅率max.:400
・トラジション周波数:80MHz
・実装タイプ:表面実装
・パッケージタイプ:SOT323-6
・パッケージタイプ:SOT363
半導体(モジュール)
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トランジスタ(BJT)
/
デュアルトランジスタ
・接合構造:NPN×2
・コレクタエミッタ間電圧1:50V
・コレクタエミッタ間電圧2:50V
・コレクタベース間電圧1:60V
・コレクタベース間電圧2:60V
・エミッタベース間電圧1:5V
・エミッタベース間電圧2:5V
・コレクタ電流1:150mA
・コレクタ電流2:150mA
・ベース電流1:30mA
・ベース電流2:30mA
・コレクタエミッタ飽和電圧:0.1V
・許容損失max.:200mW
・直流電流増幅率min.:200
・直流電流増幅率max.:400
・トラジション周波数:80MHz
・実装タイプ:表面実装
・パッケージタイプ:SOT323-6
・パッケージタイプ:SOT363
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商品イベント履歴 | |
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2024/02/26 | 型番が更新されました。HN1C01FU-GR_LF(B→HN1C01FU-GR,LF(B |
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○リンク切れ、間違いはお問い合わせまでご連絡頂けましたら幸いでございます。
○当社で販売しているチップ抵抗、コンデンサのサイズコードはすべてミリ表記です。