PchMOSFET SSM6J808R
東芝の面実装型のPチャネルMOSFETです。低オン抵抗、4V駆動、小型パッケージで高許容損失を特徴とします。こちらはお客様からご要望を頂き販売を開始いたしました。各種部品、半導体、機構部品等のご要望をお待ちしております。商品リクエスト入力フォーム
■主な仕様
・チャネル：P
・ドレインソース間電圧：-40V
・ドレイン電流DC：-7A
・ピークドレイン電流：-35A
・ゲートソース間電圧：-20・10V
・ゲート漏れ電流：±100nA
・オン抵抗：28mΩ
・許容損失max.：3W
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：TSOP6F
・パッケージタイプ：TSOP6F
表面実装部品(チップ部品)
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半導体(モジュール)
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FET
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PchFET(2SJ)
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MOSFET
・チャネル：P
・ドレインソース間電圧：-40V
・ドレイン電流DC：-7A
・ピークドレイン電流：-35A
・ゲートソース間電圧：-20・10V
・ゲート漏れ電流：±100nA
・オン抵抗：28mΩ
・許容損失max.：3W
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：TSOP6F
・パッケージタイプ：TSOP6F
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