PchパワーMOSFET 60V16.7A MTB060P06I3
CYStechのPch MOSFETです。小型、大容量、小ゲート容量を特徴とします。
■主な仕様
・チャネル：P
・ドレインソース間電圧：-60V
・ドレイン電流DC：-16.7A
・ピークドレイン電流：-57A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±100nA
・オン抵抗：57mΩ
・許容損失max.：36W
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：150℃
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-251
・パッケージタイプ：TO251
半導体(モジュール)
/
FET
/
PchFET(2SJ)
/
MOSFET
/
Pch MOSFET
・チャネル：P
・ドレインソース間電圧：-60V
・ドレイン電流DC：-16.7A
・ピークドレイン電流：-57A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±100nA
・オン抵抗：57mΩ
・許容損失max.：36W
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：150℃
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-251
・パッケージタイプ：TO251
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