NchSiCFET UJ3C065080T3S
UnitedSiCのSiC(シリコンカーバイド)FETです。珪素(Si)と炭素(C)で構成される新しい素材です。電力用半導体の新しい素材として期待されています。
■主な仕様
・チャネル:N
・ドレインソース間電圧:650V
・ドレイン電流DC:31A
・ピークドレイン電流:65A
・ゲートソース間電圧:±25V
・ゲート漏れ電流:6μA
・オン抵抗:80mΩ
・許容損失max.:190W
・動作温度min.:-55℃
・動作温度max.:175℃
・実装タイプ:スルーホール
・パッケージ:TO220-3L
・パッケージタイプ:TO220
半導体(モジュール)
/
FET
/
NchFET(2SK)
/
MOSFET
/
Nch MOSFET
・チャネル:N
・ドレインソース間電圧:650V
・ドレイン電流DC:31A
・ピークドレイン電流:65A
・ゲートソース間電圧:±25V
・ゲート漏れ電流:6μA
・オン抵抗:80mΩ
・許容損失max.:190W
・動作温度min.:-55℃
・動作温度max.:175℃
・実装タイプ:スルーホール
・パッケージ:TO220-3L
・パッケージタイプ:TO220
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商品イベント履歴 | |
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2024/06/21 | 商品画像が追加されました。 |
2024/06/21 | 商品画像が更新されました。 |
2024/06/05 | 商品画像が更新されました。 |
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