NchパワーMOSFET 80V100A TK100A08N1
大人気で品切れ中のTK100A06(2021年8月頃に再入荷予定)の代品としておすすめします。オン抵抗が低い(2.6mΩ)、漏れ電流が低い、エンハンスメントタイプといった特徴があります。ケースは絶縁されておりますが、密着放熱性を考えて放熱グリスとTO-220放熱絶縁シートの使用をおすすめします。
■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：80V
・ドレイン電流DC：100A
・ピークドレイン電流：568A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±0.1μA
・オン抵抗：2.6mΩ
・許容損失max.：45W
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-220SIS(SC-67/2-10R1B)
・パッケージタイプ：TO220
半導体(モジュール)
/
FET
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NchFET(2SK)
/
MOSFET
/
Nch MOSFET
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：80V
・ドレイン電流DC：100A
・ピークドレイン電流：568A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±0.1μA
・オン抵抗：2.6mΩ
・許容損失max.：45W
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-220SIS(SC-67/2-10R1B)
・パッケージタイプ：TO220
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