デュアルMOSFET(Nch+Pch) TPC8407
MOSFET シリコンP/NチャネルMOS形(U-MOSⅥ/U-MOSⅦ-H)。スレッショルド電圧が低い為、ロジック電圧で駆動できます。
■用途
・モータードライブ用
・CCFLインバーター用
・携帯電子機器用
■特長
・小型、薄型で実装面積が小さい。
・スイッチングスピードが速い。
取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプです。
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・携帯電子機器用
■特長
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■主な仕様
・種別：P+N
・内部接続：独立
・ドレインソース間電圧Pch：-30V
・ドレイン電流DCPch：-7.4A
・ゲートソース間電圧Pch：±20V
・オン抵抗Pch：18mΩ
・ドレインソース間電圧Nch：30V
・ドレイン電流DCNch：9A
・ゲートソース間電圧Nch：±20V
・オン抵抗Nch：14mΩ
・許容損失max.：1.5W
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：150℃
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：SOP8
・パッケージタイプ：SOP8
表面実装部品(チップ部品)
/
半導体(モジュール)
/
FET
/
MOSFET
/
チップFET
・種別：P+N
・内部接続：独立
・ドレインソース間電圧Pch：-30V
・ドレイン電流DCPch：-7.4A
・ゲートソース間電圧Pch：±20V
・オン抵抗Pch：18mΩ
・ドレインソース間電圧Nch：30V
・ドレイン電流DCNch：9A
・ゲートソース間電圧Nch：±20V
・オン抵抗Nch：14mΩ
・許容損失max.：1.5W
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：150℃
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：SOP8
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