NchパワーMOSFET 600V4A MTN4N60CI3
CYStechのNch MOSFETです。小型で高耐圧、大容量、小ゲート容量を特徴とします。
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■一覧
■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：600V
・ドレイン電流DC：4A
・ピークドレイン電流：16A
・ゲートソース間電圧：±30V
・ゲート漏れ電流：±100nA
・オン抵抗：1.8Ω
・許容損失max.：50W
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：150℃
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-251
・パッケージタイプ：TO251
半導体(モジュール)
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FET
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MOSFET
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Nch MOSFET
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：600V
・ドレイン電流DC：4A
・ピークドレイン電流：16A
・ゲートソース間電圧：±30V
・ゲート漏れ電流：±100nA
・オン抵抗：1.8Ω
・許容損失max.：50W
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：150℃
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-251
・パッケージタイプ：TO251
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