デュアルトランジスタ(NPN+NPN) TPCP8701
高耐圧(VCBO:100V) 電流 IC=3Aの高速(tf=120ns)の中電力パワーTRを2個1パッケージにしてあります。熱的にも2個の特性が良く揃っていて使いやすいです。電流増幅率(hFE=400~1000)と高いです。スイッチング回路、インバータ回路の小型化に最適です。こちらはお客様からご要望がございました。各種部品、半導体、機構部品等のご要望をお待ちしております。商品リクエスト入力フォーム
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■主な仕様
・接合構造：NPN×2
・コレクタエミッタ間電圧1：50V
・コレクタエミッタ間電圧2：50V
・コレクタベース間電圧1：100V
・コレクタベース間電圧2：100V
・エミッタベース間電圧1：7V
・エミッタベース間電圧2：7V
・コレクタ電流1：3A
・コレクタ電流2：3A
・ベース電流1：300mA
・ベース電流2：300mA
・コレクタエミッタ飽和電圧：0.14V
・ベースエミッタ飽和電圧：1.1V
・許容損失max.：0.94W
・直流電流増幅率min.：400
・直流電流増幅率max.：1000
・実装タイプ：表面実装
・パッケージタイプ：SOT23-8
半導体(モジュール)
/
トランジスタ(BJT)
/
デュアルトランジスタ
・接合構造：NPN×2
・コレクタエミッタ間電圧1：50V
・コレクタエミッタ間電圧2：50V
・コレクタベース間電圧1：100V
・コレクタベース間電圧2：100V
・エミッタベース間電圧1：7V
・エミッタベース間電圧2：7V
・コレクタ電流1：3A
・コレクタ電流2：3A
・ベース電流1：300mA
・ベース電流2：300mA
・コレクタエミッタ飽和電圧：0.14V
・ベースエミッタ飽和電圧：1.1V
・許容損失max.：0.94W
・直流電流増幅率min.：400
・直流電流増幅率max.：1000
・実装タイプ：表面実装
・パッケージタイプ：SOT23-8
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