PchパワーMOSFET 60V15A TJ15S06M3L
東芝のPchMOSFETです。
■一覧
■主な仕様
・チャネル：P
・ドレインソース間電圧：-60V
・ドレイン電流DC：-15A
・ピークドレイン電流：-30A
・ゲートソース間電圧：-20・10V
・ゲート漏れ電流：±10μA
・オン抵抗：38.5mΩ
・許容損失max.：41W
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：DPAK+(2-7M1A)
・パッケージタイプ：TO252
表面実装部品(チップ部品)
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半導体(モジュール)
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FET
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PchFET(2SJ)
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MOSFET
・チャネル：P
・ドレインソース間電圧：-60V
・ドレイン電流DC：-15A
・ピークドレイン電流：-30A
・ゲートソース間電圧：-20・10V
・ゲート漏れ電流：±10μA
・オン抵抗：38.5mΩ
・許容損失max.：41W
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：DPAK+(2-7M1A)
・パッケージタイプ：TO252
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