トランジスタ ZTX560 500V 150mA
シリコンPNPバイポーラトランジスタです。高耐圧(VCEO=-500V)、大電流(Ic=150mA)、大電力(Pc=1W)を特徴とします。また高耐圧トランジスタでありながらhFEのリニアリティが良好です。fTは60MHzと高いので低周波用のみならず、高周波用にも適しています。
■主な仕様
・接合構造：PNP
・コレクタエミッタ間電圧：-500V
・コレクタベース間電圧：-500V
・エミッタベース間電圧：-5V
・コレクタ電流：-150mA
・コレクタエミッタ飽和電圧：-500V
・ベースエミッタ飽和電圧：-5V
・許容損失max.：1W
・直流電流増幅率min.：15
・直流電流増幅率max.：300
・トランジション周波数：60MHz
・動作温度min.：55℃
・動作温度max.：150℃
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：3
・パッケージタイプ：TO92
半導体(モジュール)
/
トランジスタ(BJT)
/
PNPトランジスタ
/
IC(集積回路)
・接合構造：PNP
・コレクタエミッタ間電圧：-500V
・コレクタベース間電圧：-500V
・エミッタベース間電圧：-5V
・コレクタ電流：-150mA
・コレクタエミッタ飽和電圧：-500V
・ベースエミッタ飽和電圧：-5V
・許容損失max.：1W
・直流電流増幅率min.：15
・直流電流増幅率max.：300
・トランジション周波数：60MHz
・動作温度min.：55℃
・動作温度max.：150℃
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：3
・パッケージタイプ：TO92
関連商品
この商品を購入した方は、こちらの商品も購入しております
この商品を閲覧された方は、このような商品を見ております
○表示価格は通販の価格です。秋葉原店、八潮店ではWebサイトと価格が異なる場合があります。
○商品の仕様は予告なく変更する場合があります。
○ロットを揃えたり指定することはできません。
○「すべてパックでほしい」「リールでほしい」といった包装の指定はできません。
○お届けする商品のロットと掲載写真のロットは異なる場合があります。
○掲載写真の外観は形状見本として代表的なもので細かい形状やデザインが異なることがあります。
○写真の包装は少量注文の場合で大量注文の場合バルクやリールで出荷する場合があります。
○PDFファイルの文字が表示されない場合、Adobe製のPDF閲覧ソフトでご覧ください。
○関連商品の自動表示のためにレコメンドエンジンを使用しています。
○リンク切れ、間違いはお問い合わせまでご連絡頂けましたら幸いでございます。
○袋売り、個数売り、パック入りと言ったまとめ売り商品は、重量で本数を数え、封入しているものがあります。その為本数・粒数が合っていない(多い、少ない)場合が御座います。欠品については保証致します。
○メーカーの包装や箱から一度取り出して別の袋や箱に詰め直して出荷する場合があります。