チップトランジスタ 2SC3356
NPNエピタキシアル形シリコンRFトランジスタ(RFTR)です。マイクロ波低雑音増幅用です。fTが高く(7GHz)、帰還容量は1pF(max)と小さいです。雑音指数はVCE=10V、Ic-7mA、f=1.0GHzにおいて、1.1dB(typ)と低雑音です。業界標準のSC-59(2.9x2.8x1.1mm、0.95mmピッチ)パッケージですから、置き換えも容易です。hFEランクはR24(80～160)です。データシートにスミスチャートが掲載されていますので分布定数回路の設計に役立ちます。
■主な仕様
・接合構造：NPN
・コレクタエミッタ間電圧：12V
・コレクタベース間電圧：20V
・エミッタベース間電圧：3V
・コレクタ電流：100mA
・雑音指数：1.1dB
・許容損失max.：200mW
・直流電流増幅率min.：50
・直流電流増幅率max.：250
・トランジション周波数：7GHz
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：SC-63
・パッケージタイプ：TO252
表面実装部品(チップ部品)
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半導体(モジュール)
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チップトランジスタ
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チップトランジスタ(NPN)
・接合構造：NPN
・コレクタエミッタ間電圧：12V
・コレクタベース間電圧：20V
・エミッタベース間電圧：3V
・コレクタ電流：100mA
・雑音指数：1.1dB
・許容損失max.：200mW
・直流電流増幅率min.：50
・直流電流増幅率max.：250
・トランジション周波数：7GHz
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：SC-63
・パッケージタイプ：TO252
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