トランジスタ 2SB1275 160V1.5A
■2SD1918、2SD1857とコンプリメンタリ
■主な仕様
・接合構造：PNP
・コレクタエミッタ間電圧：-160V
・コレクタベース間電圧：-160V
・エミッタベース間電圧：-5V
・コレクタ電流：-1.5A
・コレクタエミッタ飽和電圧：-2V
・許容損失max.：10W
・直流電流増幅率min.：82
・直流電流増幅率max.：180
・トランジション周波数：50MHz
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：SC-63
・パッケージタイプ：TO252
表面実装部品(チップ部品)
/
半導体(モジュール)
/
トランジスタ(BJT)
/
PNPトランジスタ
/
チップトランジスタ
・接合構造：PNP
・コレクタエミッタ間電圧：-160V
・コレクタベース間電圧：-160V
・エミッタベース間電圧：-5V
・コレクタ電流：-1.5A
・コレクタエミッタ飽和電圧：-2V
・許容損失max.：10W
・直流電流増幅率min.：82
・直流電流増幅率max.：180
・トランジション周波数：50MHz
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：SC-63
・パッケージタイプ：TO252
関連商品
| 商品イベント履歴 | |
|---|---|
| 2024/04/25 | 商品画像が追加されました。 |
| 2024/04/25 | 商品画像が更新されました。 |
| 2024/04/25 | 商品画像が追加されました。 |
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