PchパワーMOSFET 60V5A 2SJ527L-E
特長
●低オン抵抗
RDS(ON)=0.3Ωtyp.
●駆動電力が小さい
●低電圧駆動(4V駆動)
●スイッチング速度が速い
●低オン抵抗
RDS(ON)=0.3Ωtyp.
●駆動電力が小さい
●低電圧駆動(4V駆動)
●スイッチング速度が速い
■主な仕様
・チャネル：P
・ドレインソース間電圧：-60V
・ドレイン電流DC：-5A
・ピークドレイン電流：-20A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±10μA
・オン抵抗：300mΩ
・許容損失max.：20W
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：DPAK
・パッケージタイプ：TO252
半導体(モジュール)
/
FET
/
PchFET(2SJ)
/
MOSFET
/
Pch MOSFET
・チャネル：P
・ドレインソース間電圧：-60V
・ドレイン電流DC：-5A
・ピークドレイン電流：-20A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±10μA
・オン抵抗：300mΩ
・許容損失max.：20W
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：DPAK
・パッケージタイプ：TO252
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| 商品イベント履歴 | |
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| 2024/01/31 | 1個 価格が変更になりました。¥70→¥80 |
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