SiCショットキーバリアダイオード 1200V5A SCS205KGC
スイッチングロスの低減や高温度環境下での動作特性に優れ、次世代の低損失素子として期待されている、SiC(シリコンカーバイド)ショットキーバリアダイオードです。Siでは実現できなかった極小の逆回復時間(trr)により、高速スイッチングが可能になります。逆回復電荷量(Qrr)が小さいため、スイッチング損失を低減でき、機器の小型化に貢献します。
※SCS105KGCの後継品になります。
※SCS105KGCの後継品になります。
■一覧
■主な仕様
・構造：ショットキー接合
・素材：SiC
・DC耐圧：1200V
・ピーク耐圧：1200V
・平均順電流：5A
・ピーク順電流：25A
・順電圧：1.4V
・逆回復時間：15ns
・端子間容量：270pF
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-220AC
・パッケージタイプ：TO220
半導体(モジュール)
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ダイオード
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ショットキーバリアダイオード
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SICショットキーバリアダイオード
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・構造：ショットキー接合
・素材：SiC
・DC耐圧：1200V
・ピーク耐圧：1200V
・平均順電流：5A
・ピーク順電流：25A
・順電圧：1.4V
・逆回復時間：15ns
・端子間容量：270pF
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-220AC
・パッケージタイプ：TO220
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