トランジスター TBC857
TBC857は汎用のPNPトランジスタです。VCBOが高い(-50V)、Icが大きい(-150mA)といった特徴があります。hFEは平坦な為、低周波増幅に適しています。fTは80MHzが保証され、Cobは4pF(代表値)の為高周波増幅用にも適しています。雑音指数は代表値が1dB、保証値が10dBが規定されています。業界標準のSOT-23パッケージですので置き換えも容易です。
■主な仕様
・接合構造：PNP
・コレクターエミッター間電圧：-50V
・コレクターベース間電圧：-50V
・エミッターベース間電圧：-5V
・コレクター電流：-150mA
・ベース電流：-30mA
・コレクターエミッター飽和電圧：-0.22V
・ベースエミッター飽和電圧：-0.85V
・雑音指数：1dB
・許容損失max.：320mW
・直流電流増幅率min.：210
・直流電流増幅率max.：475
・トランジション周波数：80MHz
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：SOT23
・パッケージタイプ：SOT23
表面実装部品(チップ部品)
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半導体(モジュール)
/
トランジスター(BJT)
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PNPトランジスター
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・接合構造：PNP
・コレクターエミッター間電圧：-50V
・コレクターベース間電圧：-50V
・エミッターベース間電圧：-5V
・コレクター電流：-150mA
・ベース電流：-30mA
・コレクターエミッター飽和電圧：-0.22V
・ベースエミッター飽和電圧：-0.85V
・雑音指数：1dB
・許容損失max.：320mW
・直流電流増幅率min.：210
・直流電流増幅率max.：475
・トランジション周波数：80MHz
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：SOT23
・パッケージタイプ：SOT23
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| 商品イベント履歴 | |
|---|---|
| 2024/02/26 | 型番が更新されました。TBC857BLM(T→TBC857B,LM(T |
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