デュアルゲートMOSFET 3SK291

AAA
RoHS2(改正RoHS) (EU)2015/863、10物質、付属品等を除く
販売コード
110827
型番
3SK291(TE85L,F)
発売日
2016/08/03
メーカーカテゴリ
株式会社東芝セミコンダクター社(TOSHIBA)
履歴
よくある質問(Q&A)

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10個 [110827]
1パック10個入
¥150(税込)
税抜 ¥137
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八潮店 3
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デュアルゲートFETです。
・TVチューナ、UHF高周波増幅用
・混変調特性が非常に優れています。
■主な仕様
・チャネル:N
・ドレインソース間電圧:12.5V
・ドレイン電流DC:30mA
・ゲート1/ゲート2ソース間電圧:±8V
・ゲート1/ゲート2漏れ電流:±50nA
・許容損失max.:150mW
・実装タイプ:表面実装
・パッケージ:2-3J1A
半導体(モジュール) / 高周波トランジスター(RFTR・FET) / FET / NchFET(2SK) / MOSFET / Nch MOSFET / チップFET / チップMOSFET

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商品イベント履歴
2024/02/26 型番が更新されました。3SK291(TE85L F)→3SK291(TE85L,F)

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