デュアルゲートMOSFET 3SK291
デュアルゲートFETです。
・TVチューナ、UHF高周波増幅用
・混変調特性が非常に優れています。
・TVチューナ、UHF高周波増幅用
・混変調特性が非常に優れています。
■主な仕様
・チャネル:N
・ドレインソース間電圧:12.5V
・ドレイン電流DC:30mA
・ゲート1/ゲート2ソース間電圧:±8V
・ゲート1/ゲート2漏れ電流:±50nA
・許容損失max.:150mW
・実装タイプ:表面実装
・パッケージ:2-3J1A
半導体(モジュール)
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高周波トランジスター(RFTR・FET)
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FET
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NchFET(2SK)
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MOSFET
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Nch MOSFET
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チップFET
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チップMOSFET
・チャネル:N
・ドレインソース間電圧:12.5V
・ドレイン電流DC:30mA
・ゲート1/ゲート2ソース間電圧:±8V
・ゲート1/ゲート2漏れ電流:±50nA
・許容損失max.:150mW
・実装タイプ:表面実装
・パッケージ:2-3J1A
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商品イベント履歴 | |
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2024/02/26 | 型番が更新されました。3SK291(TE85L F)→3SK291(TE85L,F) |
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