NchSiCFET UJ3C065080T3S
UnitedSiCのSiC(シリコンカーバイド)FETです。珪素(Si)と炭素(C)で構成される新しい素材です。電力用半導体の新しい素材として期待されています。
■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：650V
・ドレイン電流DC：31A
・ピークドレイン電流：65A
・ゲートソース間電圧：±25V
・ゲート漏れ電流：6μA
・オン抵抗：80mΩ
・許容損失max.：190W
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：175℃
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO220-3L
・パッケージタイプ：TO220
半導体(モジュール)
/
FET
/
NchFET(2SK)
/
MOSFET
/
Nch MOSFET
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：650V
・ドレイン電流DC：31A
・ピークドレイン電流：65A
・ゲートソース間電圧：±25V
・ゲート漏れ電流：6μA
・オン抵抗：80mΩ
・許容損失max.：190W
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：175℃
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO220-3L
・パッケージタイプ：TO220
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