SiC NchMOSFET SCT2080KE
シリコンよりも小型化・低消費電力化・高効率化が可能なデバイスが実現できるシリコンカーバイド(SiC)。スイッチングロスの低減や高温度環境下での動作特性に優れ、次世代の低損失素子として期待されています。 SCT2080KEは、このSiCによるプレーナタイプMOSFETです。 高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングで、機器の小型・省エネ化に貢献します。
特長
・高耐圧(1200V)
・低オン抵抗(80mΩtyp)
・高速スイッチングスピード
・高速リカバリ
・低VSD
・並列使用が容易
・駆動回路が簡単
特長
・高耐圧(1200V)
・低オン抵抗(80mΩtyp)
・高速スイッチングスピード
・高速リカバリ
・低VSD
・並列使用が容易
・駆動回路が簡単
■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：1200V
・ドレイン電流DC：35A
・ピークドレイン電流：80A
・ゲートソース間電圧：-6~22V
・ゲート漏れ電流：±100nA
・オン抵抗：80mΩ
・許容損失max.：179W
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-247
・パッケージタイプ：TO3P
半導体(モジュール)
/
FET
/
MOSFET
/
Nch MOSFET
/
パワーMOSFET
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：1200V
・ドレイン電流DC：35A
・ピークドレイン電流：80A
・ゲートソース間電圧：-6~22V
・ゲート漏れ電流：±100nA
・オン抵抗：80mΩ
・許容損失max.：179W
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-247
・パッケージタイプ：TO3P
関連商品
この商品を閲覧された方は、このような商品を見ております
○表示価格は通販の価格です。秋葉原店、八潮店ではWebサイトと価格が異なる場合があります。
○商品の仕様は予告なく変更する場合があります。
○ロットを揃えたり指定することはできません。
○「すべてパックでほしい」「リールでほしい」といった包装の指定はできません。
○お届けする商品のロットと掲載写真のロットは異なる場合があります。
○掲載写真の外観は形状見本として代表的なもので細かい形状やデザインが異なることがあります。
○写真の包装は少量注文の場合で大量注文の場合バルクやリールで出荷する場合があります。
○PDFファイルの文字が表示されない場合、Adobe製のPDF閲覧ソフトでご覧ください。
○関連商品の自動表示のためにレコメンドエンジンを使用しています。
○リンク切れ、間違いはお問い合わせまでご連絡頂けましたら幸いでございます。
○袋売り、個数売り、パック入りと言ったまとめ売り商品は、重量で本数を数え、封入しているものがあります。その為本数・粒数が合っていない(多い、少ない)場合が御座います。欠品については保証致します。
○メーカーの包装や箱から一度取り出して別の袋や箱に詰め直して出荷する場合があります。