NchパワーMOSFET TK040N65Z
DTMOS Ⅵシリーズは、従来シリーズ「DTMOS Ⅳ-H (ディーティーモス・フォー・エイチ)」と比べて、性能指数であるドレイン･ソース間オン抵抗×ゲート･ドレイン間電荷量 (RDS(ON)×Qgd)の低減を実現し、スイッチング電源の高効率化に貢献できる製品です。低RDS(ON)×Qgd化を実現し、スイッチング電源の高効率化が可能です。従来製品「TK62N60X」(DTMOS Ⅳ-Hシリーズ)と比べて、RDS(ON)×Qgdを約40%低減しております。
■一覧
■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：650V
・ドレイン電流DC：57A
・ピークドレイン電流：228A
・ゲートソース間電圧：±30V
・ゲート漏れ電流：±1μA
・オン抵抗：33mΩ
・許容損失max.：360W
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-247
・パッケージタイプ：TO3P
半導体(モジュール)
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FET
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NchFET(2SK)
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MOSFET
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Nch MOSFET
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：650V
・ドレイン電流DC：57A
・ピークドレイン電流：228A
・ゲートソース間電圧：±30V
・ゲート漏れ電流：±1μA
・オン抵抗：33mΩ
・許容損失max.：360W
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-247
・パッケージタイプ：TO3P
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