NchパワーMOSFET 30V5A MTN2306AN3
表面実装タイプのNch MOSFETです。低オン抵抗(24mΩ@Vgs=4.5V、ID=5A)、低ゲート電荷量(Qg=9nC)、大電流(5A)を特徴とします。スレッショルド電圧か低く、ロジック駆動に最適です。業界標準のSOT-23パッケージですから置き換えも容易です。
■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：30V
・ドレイン電流DC：5A
・ピークドレイン電流：20A
・ゲートソース間電圧：±12V
・ゲート漏れ電流：±0.1μA
・オン抵抗：24mΩ
・許容損失max.：1.4W
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：150℃
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：SOT23
・パッケージタイプ：SOT23
表面実装部品(チップ部品)
/
半導体(モジュール)
/
FET
/
NchFET(2SK)
/
MOSFET
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：30V
・ドレイン電流DC：5A
・ピークドレイン電流：20A
・ゲートソース間電圧：±12V
・ゲート漏れ電流：±0.1μA
・オン抵抗：24mΩ
・許容損失max.：1.4W
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：150℃
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：SOT23
・パッケージタイプ：SOT23
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