デュアルMOSFET(Nch+Pch) TPCF8402
■特長
・携帯電子機器用、モータドライブ用、DC-DCコンバ-タ用
・小型、薄型で実装面積が小さい。
※肉眼で型番が見えないほど小さいです、パッケージを開ける際、紛失にご注意ください。
・取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプです。
・携帯電子機器用、モータドライブ用、DC-DCコンバ-タ用
・小型、薄型で実装面積が小さい。
※肉眼で型番が見えないほど小さいです、パッケージを開ける際、紛失にご注意ください。
・取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプです。
■主な仕様
・種別：P+N
・内部接続：独立
・ドレインソース間電圧Pch：-30V
・ドレイン電流DCPch：-3.2A
・ゲートソース間電圧Pch：±20V
・オン抵抗Pch：60mΩ
・ドレインソース間電圧Nch：30V
・ドレイン電流DCNch：4A
・ゲートソース間電圧Nch：±20V
・オン抵抗Nch：38mΩ
・許容損失max.：1.35W
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：150℃
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：2-3U1B
・パッケージタイプ：2-3U1B
表面実装部品(チップ部品)
/
半導体(モジュール)
/
FET
/
NchFET(2SK)
/
PchFET(2SJ)
・種別：P+N
・内部接続：独立
・ドレインソース間電圧Pch：-30V
・ドレイン電流DCPch：-3.2A
・ゲートソース間電圧Pch：±20V
・オン抵抗Pch：60mΩ
・ドレインソース間電圧Nch：30V
・ドレイン電流DCNch：4A
・ゲートソース間電圧Nch：±20V
・オン抵抗Nch：38mΩ
・許容損失max.：1.35W
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：150℃
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：2-3U1B
・パッケージタイプ：2-3U1B
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| 2024/02/15 | 商品画像が追加されました。 |
| 2024/02/15 | 商品画像が更新されました。 |
| 2024/02/15 | 商品画像が追加されました。 |
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