SiC NchMOSFET SCT2080KE
シリコンよりも小型化・低消費電力化・高効率化が可能なデバイスが実現できるシリコンカーバイド(SiC)。スイッチングロスの低減や高温度環境下での動作特性に優れ、次世代の低損失素子として期待されています。 SCT2080KEは、このSiCによるプレーナタイプMOSFETです。 高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングで、機器の小型・省エネ化に貢献します。
特長
・高耐圧(1200V)
・低オン抵抗(80mΩtyp)
・高速スイッチングスピード
・高速リカバリ
・低VSD
・並列使用が容易
・駆動回路が簡単
特長
・高耐圧(1200V)
・低オン抵抗(80mΩtyp)
・高速スイッチングスピード
・高速リカバリ
・低VSD
・並列使用が容易
・駆動回路が簡単
■主な仕様
・チャネル:N
・ドレインソース間電圧:1200V
・ドレイン電流DC:35A
・ピークドレイン電流:80A
・ゲートソース間電圧:-6~22V
・ゲート漏れ電流:±100nA
・オン抵抗:80mΩ
・許容損失max.:179W
・実装タイプ:スルーホール
・パッケージ:TO247
・端子数:3
・端子ピッチ:5.45mmピッチ
・パッケージタイプ:TO
半導体(モジュール)
/
FET
/
MOSFET
/
Nch MOSFET
/
パワーMOSFET
/
高耐圧MOSFET
/
SiCFET・SiCMOSFET
・チャネル:N
・ドレインソース間電圧:1200V
・ドレイン電流DC:35A
・ピークドレイン電流:80A
・ゲートソース間電圧:-6~22V
・ゲート漏れ電流:±100nA
・オン抵抗:80mΩ
・許容損失max.:179W
・実装タイプ:スルーホール
・パッケージ:TO247
・端子数:3
・端子ピッチ:5.45mmピッチ
・パッケージタイプ:TO
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