NchIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ) GT30J110SRA
TO-3PパッケージのIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)です。第6.5世代、RC構造によるFWD(FreewheelingDiode)内蔵。取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプです。
■一覧
■主な仕様
・接合構造：N
・コレクターエミッター間電圧：1100V
・ゲートエミッター間電圧：±25V
・コレクター電流：30A
・コレクターエミッター間飽和電圧：1.6V
・許容損失max.：312W
・動作温度max.：175℃
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-3P(N)
・パッケージタイプ：TO3P
半導体(モジュール)
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IGBT
/
・接合構造：N
・コレクターエミッター間電圧：1100V
・ゲートエミッター間電圧：±25V
・コレクター電流：30A
・コレクターエミッター間飽和電圧：1.6V
・許容損失max.：312W
・動作温度max.：175℃
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-3P(N)
・パッケージタイプ：TO3P
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