ダーリントントランジスタ TTB1020B
抵抗入りのダーリントントランジスタです。hFEが大きい(2000min)、コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低い(VCE(sat)=1.5Vmax)、TO-220フルモールドパッケージといった特徴があります。
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■主な仕様
・接合構造:PNPダーリントン
・コレクタエミッタ間電圧:-100V
・コレクタベース間電圧:-100V
・エミッタベース間電圧:-5V
・コレクタ電流:-7A
・ベース電流:-0.7A
・コレクタエミッタ飽和電圧:-0.95V
・ベースエミッタ飽和電圧:-1.55V
・許容損失max.:30W
・直流電流増幅率min.:2000
・直流電流増幅率max.:15000
・実装タイプ:スルーホール
・パッケージ:TO-220SIS
・パッケージタイプ:TO220F
半導体(モジュール)
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トランジスタ(BJT)
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PNPトランジスタ
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ダーリントントランジスタ
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PNPダーリントントランジスタ
・接合構造:PNPダーリントン
・コレクタエミッタ間電圧:-100V
・コレクタベース間電圧:-100V
・エミッタベース間電圧:-5V
・コレクタ電流:-7A
・ベース電流:-0.7A
・コレクタエミッタ飽和電圧:-0.95V
・ベースエミッタ飽和電圧:-1.55V
・許容損失max.:30W
・直流電流増幅率min.:2000
・直流電流増幅率max.:15000
・実装タイプ:スルーホール
・パッケージ:TO-220SIS
・パッケージタイプ:TO220F
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