OPA1655DR デュアル(2回路)化DIPモジュール 完成品
TIの低雑音オペアンプ、OPA1655をデュアル(2回路)化したモジュールです。RC4558系オペアンプとピン位置を同じにしてあります。基板は4層(しかも内部はGNDのみ)、層間ヴィアとしGND層をそれぞれのオペアンプごとに分離しています。電源のコンデンサは各オペアンプの電源ピンの直前に配置することで電源配線インピーダンスの低減を実現しました。またコンデンサの搭載とサイズのバランスを両立できるよう配慮いたしました。
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■主な仕様
・構造：JFET
・回路数：2
・動作電源電圧min.：±2.25V
・動作電源電圧max.：±18V
・入力オフセット電圧：±0.5mV
・入力バイアス電流：±10pA
・入力オフセット電流：±10pA
・消費電流：3.9mA
・オープンループゲイン：154dB
・スルーレート：24V/μs
・利得帯域幅積（GB積）：53MHz
・歪率(THD+N)[dB]：-131dB
・歪率(THD+N)[%]：0.000029%
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：125℃
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：DIP8(DIP化モジュールとして)
・パッケージタイプ：DIP8
半導体(モジュール)
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オペアンプ(OPamp/OPアンプ)
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2回路入オペアンプ
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ピッチ変換基板・DIP化オペアンプ
・構造：JFET
・回路数：2
・動作電源電圧min.：±2.25V
・動作電源電圧max.：±18V
・入力オフセット電圧：±0.5mV
・入力バイアス電流：±10pA
・入力オフセット電流：±10pA
・消費電流：3.9mA
・オープンループゲイン：154dB
・スルーレート：24V/μs
・利得帯域幅積（GB積）：53MHz
・歪率(THD+N)[dB]：-131dB
・歪率(THD+N)[%]：0.000029%
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：125℃
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：DIP8(DIP化モジュールとして)
・パッケージタイプ：DIP8
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