NchパワーMOSFET 30V80A TPN1R603PL
東芝のNchパワーMOSFETです。スイッチングスピートが速い、ゲート入力電荷量が小さい、出力電荷量が小さい、80Aクラスのみならず、NchMOSFETとしてもオン抵抗がとびぬけて低い(1.2mΩ)、漏れ電流が低いといった特徴があります。取り扱いが容易なエンハンスメントタイプのMOSFETです。
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■一覧
■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：30V
・ドレイン電流DC：80A
・ピークドレイン電流：200A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±0.1μA
・オン抵抗：1.2mΩ
・許容損失max.：104W
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：TSON Advance(2-3X1S)
・パッケージタイプ：TSON Advance8
表面実装部品(チップ部品)
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半導体(モジュール)
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FET
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NchFET(2SK)
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MOSFET
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：30V
・ドレイン電流DC：80A
・ピークドレイン電流：200A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±0.1μA
・オン抵抗：1.2mΩ
・許容損失max.：104W
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：TSON Advance(2-3X1S)
・パッケージタイプ：TSON Advance8
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